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PDTA123JM中文资料PDF规格书

PDTA123JM
厂商型号

PDTA123JM

参数属性

PDTA123JM 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓

文件大小

181.7 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 18:28:00

PDTA123JM规格书详情

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).

FEATURES

• Built-in bias resistors

• Simplified circuit design

• Reduction of component count

• Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification

• Inverter and interface circuits

• Circuit driver.

产品属性

  • 产品编号:

    PDTA123JMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
21+
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