PDTA123YM中文资料PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PDTA123YM |
| 参数属性 | PDTA123YM 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-21 22:59:00 |
| 人工找货 | PDTA123YM价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA123YM规格书详情
描述 Description
PNP Resistor-Equipped Transistors (RET).
特性 Features
• Built-in bias resistors
• Reduces component count
• Simplifies circuit design
• Reduces pick and place costs
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• General purpose switching and amplification
• Circuit drivers
• Inverter and interface circuits
技术参数
- 制造商编号
：PDTA123YM
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.48
- IO [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- R2 (typ) (kΩ)
：10
- Channel type
：PNP
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
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SMD |
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恩XP |
原厂封装 |
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NEXPERIA/安世 |
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Nexperia |
2022+ |
原厂原包装 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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恩XP |
2022+ |
SMD |
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2023+ |
SOT-883 |
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询价 |
