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PDTA123JS	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and ampli 文件：92.63 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA123JS	文件：181.7 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：181.7 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PDTA123JT	文件：50.98 Kbytes Page：8 Pages	PNP resistor-equipped transistor DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：50.98 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA123JT	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and ampli 文件：92.63 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA123JT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI

详细参数

型号：
PDTA123JS
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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