PDTA123JT分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTA123JT |
| 参数属性 | PDTA123JT 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
92.63 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 原厂标识 | PHILIPS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 11:20:00 |
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PDTA123JT规格书详情
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
FEATURES
• Built-in bias resistors
• Simplified circuit design
• Reduction of component count
• Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
• General purpose switching and amplification
• Inverter and interface circuits
• Circuit driver.
产品属性
- 产品编号：
PDTA123JTVL
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2511 |
N/A |
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询价 | ||
恩XP |
NA |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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SOT23 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
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原装正品 |
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Nexperia/安世 |
22+23+ |
SOT-23 |
8000 |
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恩XP |
20+ |
SOT23 |
3672 |
原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
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询价 |
