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PDTA123JMB分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTA123JMB |
参数属性 | PDTA123JMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT883B / 3-XFDFN |
文件大小 |
842.86 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 10:21:00 |
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PDTA123JMB规格书详情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PDTC123JMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
产品属性
- 产品编号:
PDTA123JMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
100mV @ 250µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XFDFN
- 供应商器件封装:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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22+ |
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24+ |
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62000 |
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Nexperia |
24+ |
NA |
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恩XP |
SOT23 |
22+ |
6000 |
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10000 |
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50000 |
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恩XP |
23+ |
SOT23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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