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PDTA123JMB分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTA123JMB
厂商型号

PDTA123JMB

参数属性

PDTA123JMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓

丝印标识

01001001

封装外壳

SOT883B / 3-XFDFN

文件大小

842.86 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:21:00

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PDTA123JMB规格书详情

General description

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PDTC123JMB.

Features and benefits

■ 100 mA output current capability

■ Reduces component count

■ Built-in bias resistors

■ Reduces pick and place costs

■ Simplifies circuit design

■ AEC-Q101 qualified

■ Leadless ultra small SMD plastic

package

■ Low package height of 0.37 mm

Applications

■ Low-current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Replaces general-purpose transistors

in digital applications

■ Mobile applications

产品属性

  • 产品编号:

    PDTA123JMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

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