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PDTA123ES中文资料安世数据手册PDF规格书

PDTA123ES
厂商型号

PDTA123ES

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

丝印标识

TA123E

封装外壳

SC-43

文件大小

421.94 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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PDTA123ES规格书详情

FEATURES

•Built-in bias resistors

•Simplified circuit design

•Reduction of component count

•Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

•General purpose switching and amplification

•Inverter and interface circuits

•Circuit driver.

产品属性

  • 型号:

    PDTA123ES

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS BISS AMMO LARGE

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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