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PDTC115EE	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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深圳市威雅利发展有限公司	PDTA115TE	恩XP	10+	SOT-523	87000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科翼源电子有限公司	PDTA115TE	恩XP	23+	SOT-523	89500	原厂原装正品	询价

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