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PDTC115EEF中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PDTC115EEF
厂商型号

PDTC115EEF

功能描述

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

丝印标识

49

封装外壳

SOT-490

文件大小

93.58 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    PDTC115EEF

  • 功能描述:

    TRANS NPN W/RES 50V SOT-490

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    10,000

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    50V 电阻器 -

  • 基极(R1)(欧):

    47k 电阻器 -

  • 发射极(R2)(欧):

    47k 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    300mV @ 500µA,10mA 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    - 频率 -

  • 转换:

    100MHz 功率 -

  • 最大:

    250mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商设备封装:

    PG-SOT323-3

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 其它名称:

    SP000756242

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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