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PDTA115EEF	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	Marking：6B；Package：SOT-490；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA115EEF	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EEF	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	Marking：6B；Package：SC-89；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EK	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA115EK	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EK	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EM	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA115EM	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EM	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EMB	文件：960.46 Kbytes Page：12 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=100k廓,R2=100k廓	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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