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PDTA113ET	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	丝印：15；Package：SOT23；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：235.87 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTA113ET	文件：121.12 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW 文件：121.12 Kbytes 页数：18 Pages	恩XP	恩XP
PDTA113ET	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm PNP Resistor-Equipped Transistors (RET). • Built-in bias resistors\n• Simplifies circuit design\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PDTA113ET,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
250
R2 (typ) (kΩ)：
1
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
1
VCEO (V)：
50

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更多PDTA113ET供应商更新时间2026-2-2 19:16:00

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