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PDTA113ET分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTA113ET
厂商型号

PDTA113ET

参数属性

PDTA113ET 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

丝印标识

15

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

235.87 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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PDTA113ET规格书详情

PDTA113ET属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PDTA113ET晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

特性 Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PDTA113ET,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 40mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 1.5mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia(安世)
24+
SOT23(TO236)
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