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PDS760Q	文件：474.71 Kbytes Page：5 Pages	7A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PDS760Q_15	文件：207.77 Kbytes Page：5 Pages	7A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER POWERDI짰	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PDS760Q-13	文件：474.71 Kbytes Page：5 Pages	7A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PDS760Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PFS760HG	文件：4.94073 Mbytes Page：36 Pages	CombinedTwo-SwitchForwardandFlybackPowerSupplyControllerswithIntegratedHighVoltageMOSFETs	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
PMT760EN	文件：334.71 Kbytes Page：14 Pages	100VN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT223 (SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ760SN	文件：378.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenFastswitching nLeadlesspackagenS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
QA760	文件：202.66 Kbytes Page：2 Pages	UltraLowLoss&PhaseStable Features: LowInsertionLoss HighPhaseStability HighPower LowPIM Applications: Phased-arrayRadar SatelliteCommunication *Avionics	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE
QW760	文件：493.41 Kbytes Page：2 Pages	Highspringtemperrodstaysstraighterlonger	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
QWB760	文件：493.41 Kbytes Page：2 Pages	Highspringtemperrodstaysstraighterlonger	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD

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更多PDS760Q供应商更新时间2025-7-25 17:49:00

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