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PDS6806

60V N-Channel MOSFETs

Features - 60V,20A,RDS(ON) =28mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available - Power Tools Applications - Motor Drive - LED Lighting

文件:511.32 Kbytes 页数:5 Pages

POTENS

博盛半导体

PDS6806

Middle & Low Voltage MOSFET

PDT

PDT

PDS6806

MOSFETs

Potens

博盛半导体

PE6806

2 Watts WR-90 RF Load Up To 12.4 GHz

文件:205.21 Kbytes 页数:2 Pages

PASTERNACK

PE6806

2 Watts Low Power WR-90 Waveguide Load 8.2 GHz to 12.4 GHz

文件:764.99 Kbytes 页数:3 Pages

PASTERNACK

PJS6806

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:315.8 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

技术参数

  • 组态:

    Dual

  • MOS类型:

    N+N

  • VDS(V):

    60

  • VGS(V):

    ±20

  • Vth(V):

    1.2/1.8/2.5

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V:

    23/28

  • 4.5V:

    27/35

  • Ciss(pF):

    1680

  • Coss(pF):

    115

  • Crss(pF):

    85

  • Qg(nC)_10V:

    28

  • Qgs(nC):

    3.5

  • Qgd(nC):

    6.5

  • Rg W:

    2.2

  • EAS (mJ):

    42

  • ID(A)_Tc=25℃:

    20

  • ID(A)_Tc=100℃:

    13

  • PD(W)_Tc=25℃:

    2.1

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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更多PDS6806供应商 更新时间2026-4-17 17:49:00