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PDK2314	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDK2314	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
PMB2314	文件：475.4 Kbytes Page：14 Pages	Prescaler Circuit 2.1 GHz Functional Description/ Application The IC is designed for use in mobile radio communication devices up to 2100 MHz and upconversion systems up 2500 MHz. Due to low power consumption and low phase noise generation, the PMB2314T is suitable for use in battery powered handheld systems, e.g. GSM, c 文件：475.4 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PMB2314T	文件：475.4 Kbytes Page：14 Pages	Prescaler Circuit 2.1 GHz Functional Description/ Application The IC is designed for use in mobile radio communication devices up to 2100 MHz and upconversion systems up 2500 MHz. Due to low power consumption and low phase noise generation, the PMB2314T is suitable for use in battery powered handheld systems, e.g. GSM, c 文件：475.4 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PMB2314-T	文件：160.39 Kbytes Page：14 Pages	Prescaler Circuit 2.1 GHz PMB 2314T Functional Description, Application The IC is designed for use in mobile radio communication devices up to 2100 MHz and upconversion systems up 2500 MHz. Due to its low power consumption and low phase noise generation it is suitable for the use in battery powered handheld systems, e.g. PCN, DECT 文件：160.39 Kbytes 页数：14 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS

技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
20
VGS(V)：
±10
Vth(V)：
0.4/0.6/1
4.5V：
22/26
2.5V：
28/36
1.8V：
39/51
Ciss(pF)：
535
Coss(pF)：
60
Crss(pF)：
34
Qg(nC)_4.5V：
7.7
Qgs(nC)：
0.9
Qgd(nC)：
2.4
ID(A)_Tc=25℃：
5.6
ID(A)_Tc=100℃：
3.5
PD(W)_Tc=25℃：
1.47
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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