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PDC3906Z	文件：1.19555 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFETs Features - 30V,60A, RDS(ON) =6mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available - MB / VGA / Vcore - POL Applications - SMPS 2nd SR Applications 文件：1.19555 Mbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDC3906Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDC3906Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
PMBT3906	文件：46.85 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMBT3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. 文件：46.85 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PMST3906	文件：47.15 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT323 plastic package. NPN complement: PMST3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching in telephony and professional communication equipment. 文件：47.15 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PZT3906	文件：48.03 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT223 plastic package. NPN complement: PZT3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed switching. 文件：48.03 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
30
VGS(V)：
±20
Vth(V)：
1.2/1.6/2.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
4.8/6
4.5V：
6.7/9
Ciss(pF)：
1160
Coss(pF)：
200
Crss(pF)：
180
Qg(nC)_4.5V：
11.1
Qgs(nC)：
1.85
Qgd(nC)：
6.8
Rg W：
2.5
EAS (mJ)：
88
ID(A)_Tc=25℃：
60
ID(A)_Tc=100℃：
38
PD(W)_Tc=25℃：
45
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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