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PDC03N50T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
SDUD03N50	文件：418.46 Kbytes Page：10 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：418.46 Kbytes 页数：10 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
FTP03N50D	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement InPower Product Lines 文件：54.71 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
NDD03N50Z	文件：299.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD03N50Z	文件：1.0755 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.0755 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

组态：
Dual
MOS类型：
N+N
VDS(V)：
500
VGS(V)：
±30
Vth(V)：
3/4/5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
2600/3600
Ciss(pF)：
440
Coss(pF)：
35
Crss(pF)：
4
Qg(nC)_10V：
10
Qgs(nC)：
2.6
Qgd(nC)：
3.2
Rg W：
1.6
EAS (mJ)：
13
ID(A)_Tc=25℃：
3
ID(A)_Tc=100℃：
1.9
PD(W)_Tc=25℃：
63
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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更多PDC03N50T供应商更新时间2025-12-18 17:08:00

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