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PD57070S-E

STMicroelectronicsN/A

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PD57070S

STMicroelectronicsN/A

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ST10PowerSO

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PD57070S

STNA

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PD57070S

STMicroelectronicsN/A

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ST10PowerSO

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PD57070S-EIC

ST/意法to59

5000

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PD57070STR-E

ST原厂原封

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PD57070STR-E

ST原厂原封

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PD57070S-E

ST/意法QFP

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PD57070S-E

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PD57070S-E

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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PD57070S-E

ST/意法to59

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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

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ST/意法半导体原厂封装

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PD57070S-E

ST/意法半导体原厂封装

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深圳市赛特兴科技有限公司

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PD57070STR-E

ST原厂原封

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PD57070S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57070S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57070STR-E制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

产品属性

  • 产品编号：

    PD57070S

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    带

  • 晶体管类型：

    LDMOS

  • 频率：

    945MHz

  • 增益：

    14.7dB

  • 额定电流（安培）：

    7A

  • 功率 - 输出：

    70W

  • 封装/外壳：

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装：

    10-PowerSO

  • 描述：

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

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