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PD57060TR-E

STMSOP-10

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深圳市百诺芯科技有限公司

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STTO-59

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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STMicroelectronicsN/A

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深圳市宸远科技有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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STMicroelectronicsN/A

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深圳市煦洪科技有限公司

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PD57060TR-E

ST/意法半导体原厂封装

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深圳市信科微科技有限公司

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PD57060TR-E

ST/意法半导体原厂封装

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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PD57060TR-E

STMicroelectronicsPowerSO-10 裸露底部焊盘

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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PD57060TR-E

ST/意法

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深圳市盈慧通电子有限公司

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ST原厂原封

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PD57060TR-E

ST/意法半导体原厂封装

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ST/意法半导体原厂封装

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PD57060TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

产品属性

  • 产品编号：

    PD57060TR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    LDMOS

  • 频率：

    945MHz

  • 增益：

    14.3dB

  • 额定电流（安培）：

    7A

  • 功率 - 输出：

    60W

  • 封装/外壳：

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装：

    10-PowerSO

  • 描述：

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

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