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PD57070S-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
PD57070S-E |
| 参数属性 | PD57070S-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 文件大小 |
483.45 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 20:00:00 |
| 人工找货 | PD57070S-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD57070S-E规格书详情
PD57070S-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD57070S-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
Description
The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 70 W with 14.7dB gain @945 MHz/28 V
■ New RF plastic package
产品属性
更多- 产品编号：
PD57070S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
945MHz
- 增益：
14.7dB
- 额定电流（安培）：
7A
- 功率 - 输出：
70W
- 封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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