| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
7年
留言
|
STMicroelectronicsN/A |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
3年
留言
|
ST |
30000 |
22+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
|||
|
15年
留言
|
ST/意法PowerSO-10RF |
32360 |
25+ |
|
ST/意法全新特价PD55035S-E即刻询购立享优惠#长期有货 |
||
|
15年
留言
|
ST/意法PowerSO-10RF |
32360 |
25+ |
|
ST/意法全新特价PD55035-E即刻询购立享优惠#长期有货 |
||
|
6年
留言
|
ST/意法 |
65230 |
24+ |
||||
|
3年
留言
|
ST/意法半导体原厂封装 |
10280 |
25+ |
||||
|
17年
留言
|
ST/意法N |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
|||
|
13年
留言
|
STSOP |
6980 |
24+ |
原装现货,可开13%税票 |
|||
|
16年
留言
|
SST原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
|
15年
留言
|
STPowerSO-10RF |
10000 |
25+ |
全新原装现货库存 |
|||
|
7年
留言
|
STMicroelectronicsN/A |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
|
7年
留言
|
STMicroelectronicsN/A |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
8年
留言
|
STPowerSO-10 R.F. (straight |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
|||
|
13年
留言
|
STMPowerSO |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
|
5年
留言
|
STPowerSO10RF (Straight Lead) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
12年
留言
|
ST/意法PowerSO-10RF |
8850 |
2517+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
10年
留言
|
ST原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
|
15年
留言
|
原厂原包 |
23195 |
25+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
|
3年
留言
|
STMPowerSO-10RF |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
|||
|
6年
留言
|
ST-意法半导体SO-10RF |
2368 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
PD55035采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PD55035图片
PD55035S-E价格
PD55035S-E价格:¥150.4088品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD55035S-E多少钱,想知道PD55035S-E价格是多少?参考价:¥150.4088。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD55035S-E批发价格及采购报价,PD55035S-E销售排行榜及行情走势,PD55035S-E报价。
PD55035STR-E中文资料Alldatasheet PDF
更多PD55035功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55035-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55035S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55035S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55035STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD55035TR-E制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

































