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STMicroelectronicsN/A

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深圳市纳睿斯电子科技有限公司

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ST

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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PD55035S-E

ST/意法PowerSO-10RF

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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PD55035-E

ST/意法PowerSO-10RF

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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ST/意法

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ST/意法半导体原厂封装

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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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ST/意法N

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十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!

深圳市欧立现代科技有限公司

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STSOP

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原装现货,可开13%税票

深圳市诺美思科技有限公司

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SST原厂封装

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STPowerSO-10RF

10000

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全新原装现货库存

深圳市高捷芯城科技有限公司

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STMicroelectronicsN/A

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样件支持,可原厂排单订货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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STMicroelectronicsN/A

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

上海意淼电子科技有限公司

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STPowerSO-10 R.F. (straight

20000

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全新原装假一赔十

深圳市纳艾斯科技有限公司

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STMPowerSO

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市河锋鑫科技有限公司

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STPowerSO10RF (Straight Lead)

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ST/意法PowerSO-10RF

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2517+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市振宏微科技有限公司

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ST原厂封装

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振宏微原装正品,假一罚百

深圳市华斯顿科技有限公司

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原厂原包

23195

25+23+

绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

深圳市创新迹电子有限公司

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STMPowerSO-10RF

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公司只做原装 品质保障

深圳市川科科技有限公司

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ST-意法半导体SO-10RF

2368

24+25+/26+27+

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PD55035S-E价格

PD55035S-E价格:¥150.4088品牌:STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD55035S-E多少钱,想知道PD55035S-E价格是多少?参考价:¥150.4088。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD55035S-E批发价格及采购报价,PD55035S-E销售排行榜及行情走势,PD55035S-E报价。

PD55035STR-E中文资料Alldatasheet PDF

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PD55035功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55035-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55035S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55035S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55035STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD55035TR-E制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs