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PD55035STR1-E	文件：332.66 Kbytes Page：18 Pages	35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Features •Commonsourceconfiguration •POUT=35Wwith16.9dBat500MHz,12.5V •NewRFplasticpackage Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effect RFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialand industrial	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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PD55035STR1-E

文件：332.66 Kbytes

Page：18 Pages

35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features •Commonsourceconfiguration •POUT=35Wwith16.9dBat500MHz,12.5V •NewRFplasticpackage Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effect RFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialand industrial

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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更多PD55035STR1-E供应商更新时间2024-5-11 14:01:00

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