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PD55008S-E中文资料射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.数据手册ST规格书

厂商型号 |
PD55008S-E |
参数属性 | PD55008S-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
功能描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. |
封装外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 16:30:00 |
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PD55008S-E规格书详情
简介
PD55008S-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD55008S-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
PD55008S-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
500MHz
- 增益:
17dB
- 额定电流(安培):
4A
- 功率 - 输出:
8W
- 封装/外壳:
PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(直引线)
- 描述:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST |
2025+ |
PowerSO-10RF |
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ST |
NA |
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STMicroelectronics |
25+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
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询价 | ||
SST |
原厂封装 |
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ST |
22+ |
PowerSO10RF (Straight Lead) |
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原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
24+ |
PowerSO-10 |
693 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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