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PD55008S-E中文资料射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.数据手册ST规格书

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厂商型号

PD55008S-E

参数属性

PD55008S-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

功能描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

封装外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:30:00

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PD55008S-E规格书详情

简介

PD55008S-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD55008S-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PD55008S-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    500MHz

  • 增益:

    17dB

  • 额定电流(安培):

    4A

  • 功率 - 输出:

    8W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(直引线)

  • 描述:

    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

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