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PMT200EPE	文件：290.7 Kbytes Page：15 Pages	70V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerSOT223(SC-73) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logiclevelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ200UNE	文件：724.23 Kbytes Page：14 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZB200UNE	文件：724.49 Kbytes Page：14 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PN200	文件：254.21 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
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PN200A	文件：51.06 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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