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PMZB200UNE	文件：724.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：01010001；Package：DFN1006B-3；30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：724.49 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZB200UNE_15	文件：238.24 Kbytes Page：14 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：238.24 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PMZB200UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Very fast switching\n• Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM\n• Ultra thin package profile of 0.37 mm;	Nexperia 安世	Nexperia
PN200	文件：51.06 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：51.06 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PN200	文件：491.86 Kbytes Page：12 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：491.86 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PN200	文件：254.21 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：254.21 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL

技术参数

Package name：
DFN1006B-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
250
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
310
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
1.4
QGD [typ] (nC)：
0.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.6
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
89
Coss [typ] (pF)：
11
Release date：
2015-03-12

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更多PMZB200UNE供应商更新时间2026-1-23 17:01:00

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