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MAX6506	文件：241.83 Kbytes Page：12 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitches	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6506UT	文件：256.019 Kbytes Page：10 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitchesNoExternalComponentsRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MP6506	文件：432.95 Kbytes Page：13 Pages	2.7V-to-15V,500mA,BipolarStepper-MotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6506GQ	文件：432.95 Kbytes Page：13 Pages	2.7V-to-15V,500mA,BipolarStepper-MotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
N6506NZ	文件：297.45 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,7.5A,1.3 Description TheN6506NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.3MAX.(VGS=10V,ID=3.75A) Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±7.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506	文件：247.82 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE FOR622Mb/s,1.25Gb/s DESCRIPTION TheNX6506Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. APPLICATIONS •STM-1,STM-4,ITU-Trecommendations •FTTHPON(FiberToTheHo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506	文件：353.47 Kbytes Page：5 Pages	NECs1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX6506GH	文件：247.82 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE FOR622Mb/s,1.25Gb/s DESCRIPTION TheNX6506Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. APPLICATIONS •STM-1,STM-4,ITU-Trecommendations •FTTHPON(FiberToTheHo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506GH-AZ	文件：353.47 Kbytes Page：5 Pages	NECs1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX6506GK	文件：247.82 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE FOR622Mb/s,1.25Gb/s DESCRIPTION TheNX6506Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. APPLICATIONS •STM-1,STM-4,ITU-Trecommendations •FTTHPON(FiberToTheHo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506GK-AZ	文件：353.47 Kbytes Page：5 Pages	NECs1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
PD-6506GAC	文件：927.27 Kbytes Page：2 Pages	Business-classMidspanFamilywithNetworkManagementSystemandLifetimeWarranty	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PT6506	文件：291.1 Kbytes Page：7 Pages	8AMPADJUSTABLEISRWITHSHORT-CIRCUITPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT6506	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	SmallSIPFootprint	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT6506E	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	SmallSIPFootprint	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT6506F	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	SmallSIPFootprint	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT6506N	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	SmallSIPFootprint	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
S6506	文件：190 Kbytes Page：1 Pages	CopperandAluminumLugRunners	Heyco Heyco	Heyco
SG6506	文件：64.599 Kbytes Page：5 Pages	DIODEARRAYCIRCUITS DESCRIPTION TheLinfinityseriesofdiodearraysfeaturehighbreakdown,highspeeddiodesinavarietyofconfigurations. Eacharrayconfigurationconsistsofeithercommonanodediodes,commoncathodediodes,oracombinationofcommonanodeandcommoncathodediodes. Individualdiodeswithin	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SJ6506	文件：380.14 Kbytes Page：6 Pages	Easy-to-ApplyShapes,Sizes,andColorsMatchYourApplicationRequirements	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PD-6506GM供应商更新时间2024-5-29 10:14:00

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