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NX6506GK中文资料PDF规格书

NX6506GK
厂商型号

NX6506GK

功能描述

LASER DIODE

文件大小

247.82 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-27 18:07:00

NX6506GK规格书详情

1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE

FOR 622 Mb/s, 1.25 Gb/s

DESCRIPTION

The NX6506 Series is a 1 550 nm Multiple Quantum Well (MQW)

structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PINPD.

APPLICATIONS

• STM-1, STM-4, ITU-T recommendations

• FTTH PON (Fiber To The Home Passive Optical Network)

• 1.25 Gb/s: Gigabit Ethernet

FEATURES

• Optical output power Po = 5.0 mW

• Low threshold current lth = 10 mA

• Differential efficiency ηd = 0.25 W/A

• Side mode suppression ratio SMSR = 40 dB

• Wide operating temperature range TC = −20 to +85°C

• InGaAs monitor PIN-PD

• CAN package φ 5.6 mm

• Focal point 7.5 mm

产品属性

  • 型号:

    NX6506GK

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    NECs 1550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR 622 Mb/s AND 1.25 Gb/s APPLICATIONS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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