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PCP1208	文件：379.7 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Features • VCEO=200V, IC=0.7A • High allowable power dissipation • Halogen free compliance • Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A • High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A 文件：379.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PCP1208	文件：390.18 Kbytes Page：4 Pages	LED Back Light NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • VCEO=200V, IC=0.7A • High allowable power dissipation • Halogen free compliance • Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A • High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A 文件：390.18 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
PCP1208	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，低饱和压，NPN，0.7 A，200 V PCP1208 is Bipolar Transistor 200V 0.7A Low VCE(sat) NPN Single PCP for LED Back Light • VCEO=200V, IC=0.7A\n• High allowable power dissipation\n• Halogen free compliance\n• Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A\n• High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PCP1208-TD-H	文件：379.7 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Features • VCEO=200V, IC=0.7A • High allowable power dissipation • Halogen free compliance • Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A • High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A 文件：379.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PCP1208-TD-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 200V 0.7A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
0.7
VCEO Min (V)：
200
VCBO (V)：
220
VEBO (V)：
8
VBE(sat) (V)：
1.2
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
120
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
SOT-89/PCP-2

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更多PCP1208供应商更新时间2026-1-17 8:02:00

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