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PCP1208中文资料双极晶体管,低饱和压,NPN,0.7 A,200 V数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

PCP1208

参数属性

PCP1208 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 0.7A PCP

功能描述

双极晶体管,低饱和压,NPN,0.7 A,200 V
TRANS NPN 200V 0.7A PCP

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-9-16 22:30:00

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PCP1208规格书详情

描述 Description

PCP1208 is Bipolar Transistor 200V 0.7A Low VCE(sat) NPN Single PCP for LED Back Light

特性 Features

• VCEO=200V, IC=0.7A
• High allowable power dissipation
• Halogen free compliance
• Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A
• High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A

简介

PCP1208属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PCP1208晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PCP1208

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.2

  • IC Cont. (A)

    :0.7

  • VCEO Min (V)

    :200

  • VCBO (V)

    :220

  • VEBO (V)

    :8

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :120

  • PTM Max (W)

    :1.3

  • Package Type

    :SOT-89/PCP-2

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