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SI4410DY	文件：239.03 Kbytes Page：3 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbattery	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI4410DY	文件：266.95 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: Si4410DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI4410DY	文件：61.1 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES TrenchFETPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4410DY	文件：1.18399 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI4410DY	文件：478.65 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SI4410DY-HF	文件：1.48498 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI4410DYPBF	文件：119.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-	IRF International Rectifier	IRF
SI4410DYPBF	文件：124.61 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-	IRF International Rectifier	IRF
SI4410DYPBF	文件：124.61 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
SI4410DY-REVA	文件：61.1 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES TrenchFETPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
PCI4410PDV
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PCI4410PDV		24+		3000	公司存货	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	PCI4410PDV	TI	24+	TQFP	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
万三科技(深圳)有限公司	PCI4410PDV	TI	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PCI4410PDV	TI/德州仪器	23+	TQFP	90000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳航星空电子技术有限公司	PCI4410PDV	TI	23+	TQFP	3200	公司只做原装，可来电咨询	询价
深圳市华康联电子科技有限公司	PCI4410PDV	TI	23+	NA	20000		询价
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更多PCI4410PDV供应商更新时间2025-7-17 14:02:00

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