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SI4410DYTRPBF	文件：124.61 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-	IRF International Rectifier	IRF
SI4410DYTRPBF	文件：1.0067 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SQ4410EY	文件：258.14 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveN-Channel30V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ4410EY	文件：206.98 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ4410EY	文件：240.34 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveN-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ4410EY	文件：239.43 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveN-Channel30V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SSG4410	文件：840.04 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG4410	文件：327.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG4410J	文件：304.36 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG4410J-C	文件：307.71 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
PCI4410PDV
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PCI4410PDV供应商更新时间2025-7-19 16:00:00

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