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SFW9530	文件：233.28 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●175oCOperatingTemperature ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowRDS(ON):0.225Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFW9530	文件：362.49 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFWI9530	文件：233.32 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHF9530	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9530S	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovid	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHF9530S	文件：184.57 Kbytes Page：8 Pages	Repetitiveavalancherated DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI9530G	文件：1.48521 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI9530G	文件：940.61 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TDA9530	文件：145.26 Kbytes Page：8 Pages	9.5NSTRIPLEHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIER DESCRIPTION TheTDA9530isatriplevideoamplifierwithhighvoltageBipolar/CMOS/DMOStechnology(BCD).Itcandrivethe3cathodesofamonitorCRTinDCorACcouplingmode.ADCcouplingapplicationisobtainedbyconnectingatripleDCcontrolledcir cuiteitherontheinputpinoron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UF9530	文件：150.69 Kbytes Page：6 Pages	-14A,-100VP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
PCA9530DP
功能描述：
LED照明驱动器 I2C LED DIMMER 2BIT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输入电压：
11.5 V to 23 V
最大电源电流：
1.7 mA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SO-16N

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