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RK9410	文件：1.00742 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RK9410TB	文件：1.00653 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDM9410	文件：420.6 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SFS9410	文件：1.00654 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFS9410	文件：978.51 Kbytes Page：6 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SI9410BDY	文件：45.36 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET SpecificationComparison Description:N-Channel,30V(D-S)MOSFET Package:SOIC-8 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9410BDY	文件：91.1 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9410DY	文件：64.379 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET SpecificationComparison Description:N-Channel,30V(D-S)MOSFET Package:SOIC-8 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9410DY	文件：234.55 Kbytes Page：3 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelEnhancementModeMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvanceprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbatterypowered	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI9410DY	文件：266.56 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertors ■DCmotorcontrol ■Lithium-ionbatteryapplications ■Notebo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
PBSS9410PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100V 2.7A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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