PBSS5540X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5540X |
| 参数属性 | PBSS5540X 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 4A SOT89 |
| 功能描述 | 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
200.43 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS5540X价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5540X规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a medium power SOT89 (SC-62) package.
NPN complement: PBSS4540X.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• High efficiency leading to less heat generation.
APPLICATIONS
• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• DC/DC converter applications
• Strobe flash units
• Medium power driver (e.g. relays, buzzers and motors).
产品属性
- 产品编号：
PBSS5540X,135
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
375mV @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
TRANS PNP 40V 4A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
13048 |
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