PBSS5350T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBSS5350T
参数属性	PBSS5350T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB
功能描述	50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor
丝印标识	ZD
封装外壳	SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	1.14899 Mbytes
页面数量	11 页
生产厂商	NEXPERIA
中文名称	安世
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-12 14:23:00
人工找货	PBSS5350T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS4350T

2. Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat

• High collector current capability

• High collector current gain

• Improved efficiency due to reduced heat generation

3. Applications

• Power management applications

• Low and medium power DC/DC converters

• Supply line switching

• Battery chargers

• Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO)

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