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PBSS5320D	文件：48.53 Kbytes Page：8 Pages	20 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagementappli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5320D	文件：342.11 Kbytes Page：8 Pages	Marking：52；Package：SOT457；20 V low VCEsat PNP transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagementapplications •DC/DCconverterapplications •Strobeflashunits •Heavydutybatterypow	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5320D_15	文件：132.19 Kbytes Page：7 Pages	20 V low VCEsat PNP transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5320D,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 3A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5320D,125	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 3A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5320T	文件：85.63 Kbytes Page：10 Pages	20V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4320T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatand correspondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedhea	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5320T	文件：653.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5320T	文件：1.16846 Mbytes Page：11 Pages	20V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4320T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5320T-Q	文件：237.12 Kbytes Page：10 Pages	20V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorininasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4320T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapabilit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5320X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PBSS5320D
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	PBSS5320D	Son	19+	SOT457	33190		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBSS5320D	恩XP	25+	SOT-363	32000	NXP/恩智浦全新特价PBSS5320D即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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