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PBSS5255PAPS-Q中文资料55V, 2A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBSS5255PAPS-Q

功能描述

55V, 2A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor

制造商

Nexperia Nexperia B.V.

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-30 8:14:00

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PBSS5255PAPS-Q规格书详情

描述 Description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

特性 Features

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
• High energy efficiency due to less heat generation
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joints
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

应用 Application

• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• LED lighting
• Power switches (e.g. motors, fans)

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS5255PAPS-Q

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN2020D-6

  • Size (mm)

    :2 x 2 x 0.65

  • Product status

    :Production

  • Polarity

    :PNP

  • Nr of transistors

    :1

  • Ptot [max] (mW)

    :960

  • VCEO [max] (V)

    :-55

  • IC [max] (A)

    :-2

  • VCEsat [max] (PNP) (mV)

    :-450

  • RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)

    :250

  • hFE [min]

    :170

  • fT [typ] (MHz)

    :100

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