PBSS5250T中文资料50 V; 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS5250T |
| 参数属性 | PBSS5250T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB |
| 功能描述 | 50 V; 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-20 17:38:00 |
| 人工找货 | PBSS5250T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5250T规格书详情
描述 Description
PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements
• Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Power management
• DC/DC converters
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Peripheral drivers
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5250T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：480
- VCEO [max] (V)
：-50
- IC [max] (A)
：-2
- ICM [max] (A)
：-3
- hFE [min]
：200
- fT [min] (MHz)
：100
- RCEsat [max] (mΩ)
：150
- VCEsat [max] (mV)
：-300
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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