PBSS5130T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBSS5130T
参数属性	PBSS5130T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 1A TO236AB
功能描述	30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
丝印标识	3E
封装外壳	TO-236AB / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	319.79 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	NEXPERIA
中文名称	安世
网址	网址
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更新时间	2025-12-18 23:01:00
人工找货	PBSS5130T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

1. General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

• Small SMD plastic package

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability: IC and ICM

• Higher efficiency due to less heat generation

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• DC-to-DC conversion

• Supply line switching

• Battery charger

• LCD backlighting

• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

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