PBSS5130T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5130T |
| 参数属性 | PBSS5130T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-236AB / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
319.79 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS5130T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5130T规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
2. Features and benefits
• Small SMD plastic package
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
产品属性
- 产品编号：
PBSS5130T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
225mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
260 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
24+ |
SOT23 |
3524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
9000 |
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恩XP |
24+ |
SOT23 |
80000 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
18+ |
SOT-23 |
5500 |
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恩XP |
21+ |
SOT23 |
3000 |
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恩XP |
25+ |
SOT23 |
188600 |
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Nexperia/安世 |
24+ |
SOT23 |
3000 |
现货假一赔百 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 |
