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RO4350B	文件：1.27025 Mbytes Page：20 Pages	RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
RO4350B	文件：948.24 Kbytes Page：19 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
RO4350B	文件：868.17 Kbytes Page：13 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorsN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
RO4350B	文件：985.86 Kbytes Page：21 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
RO4350B	文件：437.43 Kbytes Page：15 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
RO4350B	文件：1.28273 Mbytes Page：8 Pages	GaNHybridPowerAmplifier	HONGFAHongfa Technology 宏发电声厦门宏发电声股份有限公司	HONGFA
RO4350B	文件：586.38 Kbytes Page：6 Pages	GaNDohertyHybridAmplifier	RFHIC rfhic	RFHIC
RO4350B	文件：295.24 Kbytes Page：7 Pages	GaNDohertyHybridAmplifier Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange	RFHIC rfhic	RFHIC
RO4350B	文件：393.79 Kbytes Page：18 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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产品属性

产品编号：
PBSS4350Z/ZLF
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
290mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223
描述：
TRANS NPN 50V 3A SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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