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STC4350F	文件：383.84 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15VTyp. @IC=1A,IB=50mA •Largecollectorcurrentcapacity:IC=3A •SmallandcompactSMDtypepackage •ComplementarypairwithSTA3350F •“Green”deviceandRoHScompliantdevice •Availableinfulllead(Pb)-freedevice Applications •	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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NPNSiliconTransistor

Features •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15VTyp. @IC=1A,IB=50mA •Largecollectorcurrentcapacity:IC=3A •SmallandcompactSMDtypepackage •ComplementarypairwithSTA3350F •“Green”deviceandRoHScompliantdevice •Availableinfulllead(Pb)-freedevice Applications •

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

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NPNSiliconTransistor

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI

STC4350F

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NPNSiliconTransistor

Features •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15VTyp.@IC=1A,IB=50mA •Largecollectorcurrentcapacity:IC=3A •SmallandcompactSMDtypepackage •ComplementarypairwithSTA3350F Applications •Poweramplifierapplication •Highcurrentswitchingapplication

AUK

AUK corp

AUK

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产品属性

产品编号：
PBSS4350Z/ZLF
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
290mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223
描述：
TRANS NPN 50V 3A SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	PBSS4350Z/ZLF	Nexperia USA Inc.	2022+	SC-73	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PBSS4350Z/ZLF	Nexperia USA Inc.	25+	TO-261-4 TO-261AA	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市鼎欣微电子有限公司	PBSS4350Z+135	恩XP	24+	SOT223	19000	只做正品原装现货	询价
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更多PBSS4350Z/ZLF供应商更新时间2025-7-24 15:01:00

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