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PBSS4260PANP	文件：855.61 Kbytes Page：21 Pages	Marking：2Q；Package：DFN2020-6；60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4260PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5260PAP. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4260PANPS	文件：794.68 Kbytes Page：21 Pages	Marking：3D；Package：DFN2020D-6；60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) double transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4260PANS	文件：741.3 Kbytes Page：17 Pages	60V,2ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)doubletransistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4260QA	文件：731.42 Kbytes Page：17 Pages	60V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5260QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PE4260	文件：830.71 Kbytes Page：2 Pages	SMBPLUGRIGHTANGLECONNECTORCLAMP/SOLDERATTANCHMENTFORRG174RG316RG188 SMBPlugRightAngleConnectorClamp/SolderAttachmentForRG174,RG316,RG188 SMBPlugRightAngleConnectorClamp/SolderAttachmentForRG174,RG316,RG188fromPasternackEnterpriseshassamedayshipmentfordomesticandInternationalorders.OurRF,microwaveandmillimeterwaveproductsmai	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE4260	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	SMBPlugRightAngleConnectorClamp/SolderAttachment	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
R4260	文件：120.31 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
S4260	文件：120.31 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
STG4260	文件：466.76 Kbytes Page：19 Pages	Lowvoltage0.5廓dualSPDTswitchwithbreak-before-makefeatureand15kVESDprotection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STG4260BJR	文件：466.76 Kbytes Page：19 Pages	Lowvoltage0.5廓dualSPDTswitchwithbreak-before-makefeatureand15kVESDprotection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
PBSS4260PANP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	PBSS4260PANP	NEXPERIA/安世	20+	DFN2020-6	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多PBSS4260PANP供应商更新时间2025-5-29 10:02:00

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