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PBSS4260PANP	文件：855.61 Kbytes Page：21 Pages	丝印：2Q；Package：DFN2020-6；60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4260PAN. PNP/PNP complement: PBSS5260PAP. 2. Features and benefits • Very low collect 文件：855.61 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4260PANP	文件：348.66 Kbytes Page：21 Pages	60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：348.66 Kbytes 页数：21 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4260PANPS	文件：794.68 Kbytes Page：21 Pages	丝印：3D；Package：DFN2020D-6；60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) double transistor 文件：794.68 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4260PANP	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN/NPN complement: PBSS4260PAN. PNP/PNP complement: PBSS5260PAP. • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n• High efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4260PANPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) double transistor NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.\n NPN/NPN complement: PBSS4260PANS\n PNP/PNP complement: PBSS5260PAPS • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity\n• High energy efficiency du;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4260PANPS-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat double transistor NPN/PNP low VCEsat double transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.\n NPN/NPN complement: PBSS4260PANS-Q\n PNP/PNP complement: PBSS5260PAPS-Q	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020-6
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
1040
VCEO [max] (V)：
60
IC [max] (A)：
2
VCEsat [max] (NPN) (mV)：
330
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-500
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
250
hFE [min]：
290
fT [typ] (MHz)：
140

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