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PBSS4230PANP	文件：854.83 Kbytes Page：21 Pages	Marking：2J；Package：DFN2020-6；30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5230PAP. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230QA	文件：730.47 Kbytes Page：17 Pages	30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230T	文件：472.46 Kbytes Page：8 Pages	30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermanagem	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230T	文件：47.87 Kbytes Page：7 Pages	NPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. PNPcomplement:PBSS5230T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PE4230	文件：410.43 Kbytes Page：4 Pages	HNMaleRightAngleConnectorClamp/SolderAttachment Description Pasternack’sPE4230HNmalerightangleconnectorwithclamp/solderattachmentforRG213,RG8,RG393,RG225,RG214,RG393andRG9ispartofourfulllineofRFcomponentsavailableforsame-dayshipping.OurHNmaleconnectoroperatesuptoamaximumfrequencyof10GHz.Itsrightan	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE4230	文件：258.75 Kbytes Page：7 Pages	SPDTHighPowerUltraCMOS??RFSwitch ProductDescription ThePE4230UltraCMOS™RFSwitchisdesignedtocoverabroadrangeofapplicationsfromDCthrough3000MHz.Thissingle-supplyreflectiveswitchintegrateson-boardCMOScontrollogicdrivenbyasimple,single-pinCMOSorTTLcompatiblecontrolinput.Usinganominal+3-volt	Peregrine Peregrine Semiconductor Corp.	Peregrine
PE4230-EK	文件：258.75 Kbytes Page：7 Pages	SPDTHighPowerUltraCMOS??RFSwitch ProductDescription ThePE4230UltraCMOS™RFSwitchisdesignedtocoverabroadrangeofapplicationsfromDCthrough3000MHz.Thissingle-supplyreflectiveswitchintegrateson-boardCMOScontrollogicdrivenbyasimple,single-pinCMOSorTTLcompatiblecontrolinput.Usinganominal+3-volt	Peregrine Peregrine Semiconductor Corp.	Peregrine
PSA4230C-LF	文件：75.23 Kbytes Page：2 Pages	MicrowaveRadios	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
PSA4230C-LF	文件：93.2 Kbytes Page：2 Pages	PHASELOCKEDLOOP	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM

详细参数

型号：
PBSS4230PANP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PBSS4230PANP供应商更新时间2025-7-15 14:00:00

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