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PBSS4140SW_R2_00001	文件：547.63 Kbytes Page：6 Pages	Marking：4140SW；Package：SOT-223；NPN Low VCE(SAT) Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVCE(SAT)0.25V(max)@IC/IB=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics PNPcomplement:PBSS5140SH LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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PBSS4140SW_R2_00001

文件：547.63 Kbytes

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Marking：4140SW；Package：SOT-223；NPN Low VCE(SAT) Transistor

Features SiliconNPNepitaxialtype LowVCE(SAT)0.25V(max)@IC/IB=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics PNPcomplement:PBSS5140SH LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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更多PBSS4140SW_R2_00001供应商更新时间2025-7-24 11:00:00

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