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PBSS4021NT	文件：298.52 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BH；Package：SOT23；20 V, 4.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanfor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021NT-Q	文件：346.26 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BH；Package：SOT23；20 V, 4.3 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4021PT-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021NT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 4.3A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4021NX	文件：727.03 Kbytes Page：14 Pages	20V,7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerand flatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4021PX. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021NZ	文件：732.73 Kbytes Page：15 Pages	20V,8ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021NZ-Q	文件：377.04 Kbytes Page：15 Pages	20V,8ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4021PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PT	文件：298.42 Kbytes Page：15 Pages	20V,3.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanfor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PT-Q	文件：342.29 Kbytes Page：15 Pages	20V,3.5APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4021NT-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PX	文件：748.33 Kbytes Page：15 Pages	20V,6.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PZ	文件：729.66 Kbytes Page：15 Pages	20V,6.6APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4021NT
功能描述：
两极晶体管 - BJT BISS Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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