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RBV6005	文件：164.49 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Idealforprintedcircuitboard ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ●Surgeoverloadrating:200amperespeak	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
RBV6005	文件：149.66 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers Features ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ◇Surgeoverloadrating:200amperespeak	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
RBV6005	文件：115.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ◇Surgeoverloadrating:200amperespeak	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
RC6005	文件：40.25 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
RJS6005TDPPEJ	文件：68.42 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6005TDPP-EJ	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	600V-15A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6005WDPK	文件：64.769 Kbytes Page：4 Pages	600V-30A-DiodeSiCSchottkyBarrierDiode Features •Newsemiconductormaterial:SiliconCarbideDiode •Noreverserecovery/Noforwardrecovery	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJS6005WDPK	文件：68.33 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKBPC6005	文件：795.03 Kbytes Page：1 Pages	6AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER FEATURES •Ratingto1000VPRV •Highefficiency •Idealforprintedcircuitboard •Surgeoverloadratingto125Amperespeak •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininsexpensiveproduct •ULrecognized:File#E106441 •ULrecognized94V-0plasticma	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
RM6005AR	文件：289.42 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=5A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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详细参数

型号：
PBLS6005D
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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