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RJS6005TDPPEJ	文件：68.42 Kbytes Page：4 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：68.42 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJS6005TDPP-EJ	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	600V - 15A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：170 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJS6005WDPK	文件：64.769 Kbytes Page：4 Pages	600V - 30A - Diode SiC Schottky Barrier Diode Features • New semiconductor material: Silicon Carbide Diode • No reverse recovery / No forward recovery 文件：64.769 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多RC6005供应商更新时间2025-9-19 16:36:00