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PBLS6003D	文件：145.06 Kbytes Page：16 Pages	60 V PNP BISS loadswitch General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package ■ Low 文件：145.06 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
PBLS6003D	文件：259.74 Kbytes Page：17 Pages	丝印：F3；Package：SC-74；60 V PNP BISS loadswitch Features * Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package * Low threshold voltage ( 文件：259.74 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBLS6003D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBLS6003D,115	文件：259.74 Kbytes Page：17 Pages	60 V PNP BISS loadswitch Features * Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package * Low threshold voltage ( 文件：259.74 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBLS6003D-QX	文件：259.74 Kbytes Page：17 Pages	60 V PNP BISS loadswitch Features * Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package * Low threshold voltage ( 文件：259.74 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBLS6003D	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V PNP BISS loadswitch PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. • Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package\n• Low drive power required\n• Reduction of component count\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBLS6003D-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A PNP loadswitch double transistor PNP low VCEsat transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. • Low VCEsat transistor and resistor-equipped transistor in one package\n• Low threshold voltage (< 1 V) compared to MOSFET\n• Low drive power required\n• Space-saving solution\n• Reduction of component count\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Size (mm)：
2.9 x 1.5 x 1
Polarity：
NPN/PNP
Ptot [max] (mW)：
600
VCEO [max] (V)：
50
VCEsat [max] (mV)：
-150
VCEsat [max] (trans 2) (mV)：
-340
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
255
hFE [min]：
30
fT [typ] (MHz)：
150
Automotive qualified：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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