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PR2001G	文件：62.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •FastSwitchingforHighEfficiency •SurgeOverloadRatingto80APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2001G	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2001G	文件：134.29 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR2001G	文件：266.51 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIERDIODES VOLTAGERANGE:50-1000VCURRENT:2.0A Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●DiffusedJunction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto80APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial:ULFla	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PR2001G-T	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2001-T	文件：368.07 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PT2001	文件：250.25 Kbytes Page：4 Pages	2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.withHeadphoneOutput DESCRIPTION ThePT2001isaClass-Dpoweramplifierdesignedforaudioequipments,maximumoutputpowercanreachupto2.2Wx2(VDD=5V,RL=4Ω,THD=10).ThePT2001composedofexclusivelydesignedClass-Dcircuitry(patented)byPTC,alongwiththemostadvancedsemi-conductortechnology.Whe	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2001-TX	文件：250.25 Kbytes Page：4 Pages	2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.withHeadphoneOutput DESCRIPTION ThePT2001isaClass-Dpoweramplifierdesignedforaudioequipments,maximumoutputpowercanreachupto2.2Wx2(VDD=5V,RL=4Ω,THD=10).ThePT2001composedofexclusivelydesignedClass-Dcircuitry(patented)byPTC,alongwiththemostadvancedsemi-conductortechnology.Whe	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PTPS2001EDBVR	文件：1.42533 Mbytes Page：28 Pages	TPS20xxECurrent-Limited,Power-DistributionSwitches 1Features •Singlepowerswitchfamily •Pin-to-pinwithexistingTISwitchPortfolio •Ratedcurrentsof1.5Aand2A •Supports3.3-Vand5-Vpowerrail •±20accurate,fixed,constantcurrentlimit •Fastovercurrentresponse:2μs •Deglitchedfaultreporting •Outputdischarge •Re	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PTPS2001EDBVR	文件：1.87856 Mbytes Page：29 Pages	TPS20xxECurrent-Limited,Power-DistributionSwitches 1Features •Singlepowerswitchfamily •Pin-to-pinwithexistingTISwitchPortfolio •Ratedcurrentsof1.5Aand2A •Supports3.3-Vand5-Vpowerrail •±20accurate,fixed,constantcurrentlimit •Fastovercurrentresponse:2μs •Deglitchedfaultreporting •Outputdischarge •Re	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
PBLS2001D
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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