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PR1504G	文件：74.82 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-1.5Amperes •FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowcost •Glasspassivationjunction •Lowreverseleakagecurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	CTC ctconline	CTC
PR1504G	文件：134.68 Kbytes Page：2 Pages	1.5AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR1504G-B	文件：87.33 Kbytes Page：3 Pages	1.5AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●SurgeOverloadRatingto50APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR1504GL	文件：87.33 Kbytes Page：3 Pages	1.5AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●SurgeOverloadRatingto50APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR1504GS	文件：62.46 Kbytes Page：2 Pages	1.5AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●SurgeOverloadRatingto50APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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PR1504G-T	文件：87.33 Kbytes Page：3 Pages	1.5AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●SurgeOverloadRatingto50APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR1504S	文件：62.34 Kbytes Page：2 Pages	1.5AFASTRECOVERYRECTIFIER Features •DiffusedJunction •FastSwitchingforHighEfficiency •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto50APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
PBLS1504Y
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS LDSWITCH TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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