PBHV9115X中文资料150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBHV9115X |
| 参数属性 | PBHV9115X 封装/外壳为TO-243AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 150V 1A SOT89 |
| 功能描述 | 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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PBHV9115X规格书详情
描述 Description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• Automotive motor management
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
技术参数
- 制造商编号
：PBHV9115X
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT89
- Size (mm)
：4.5 x 2.5 x 1.5
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：520
- VCEO [max] (V)
：-150
- IC [max] (mA)
：-1000
- hFE [min]
：100
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：N
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